靜電能量是經由傳導性能量轉移方式引入產品的電子組件內, 主要破壞力是瞬間峰值電流，電壓是引導放電作用的誘發位能，靜電開始時是經由直接（電流）或間接輻射方式以快速的瞬時突波沖擊到電路組件上，這當中有電流熱效應也有電磁場的干擾效應。所以靜電對造成電子組件失效情況可概分三種情形，一、硬件失效(Hard failure)，二、潛在性失效(Latentfailure)，三、場強感應失效 (Field induction failure)。

1、硬件失效問題： 靜電電弧電壓(Sparkvoltage)竄入半導體內部使絕緣部位損壞，如在P-N接合點短路或開路，內部絕緣的氧化層貫穿(punch-through)-金屬氧化處理部位產生熔蝕(melting)等，這都是屬于長久性失效。

       2、潛在性失效問題：當靜電發生時系統雖暫時受到影響，仍然可繼續動作，但功能會隨時間逐漸變差，隔數日或數周后系統出現異常，最后成為硬件失效。這是因為半導體組件已經受到部分不可回復的損傷，隨著使用時間日增，異常功能自會逐漸顯現。這種失效是很難難捉模，無法以失效模式分析確認。

       3、感應場強失效問題：當靜電的高壓放電火花跟電流會對產生電場輻射效應，這種寬帶的輻射，經常使臨近的電路受干擾而失常，如Latch-Up 或暫時性程序錯亂，及數據流失等，嚴重時更會損傷硬件成為長久行硬件失效。